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      克服SPAD技術(shù)瓶頸:后脈沖參數(shù)的精密測(cè)量挑戰(zhàn)與解決方案
      2025-08-11

      IllustrationgeneratedbyAIforillustrativepurposesonly參考:ASimpleandRobustMethodforEstimatingAfterpulsinginSinglePhotonDete...

      • 2025-09-23

        Voc損耗分析儀采用高精度傳感器,在開路狀態(tài)下準(zhǔn)確測(cè)量太陽能電池的輸出電壓,即Voc值。這一過程要求儀器能在不同光照條件下穩(wěn)定工作,以保證獲取的數(shù)據(jù)具備準(zhǔn)確性與可靠性。通過對(duì)該數(shù)值的準(zhǔn)確捕捉,為后續(xù)分析提供基礎(chǔ)數(shù)據(jù)支撐。儀器內(nèi)置數(shù)據(jù)處理系統(tǒng),可快速對(duì)測(cè)量結(jié)果進(jìn)行處理。不僅能計(jì)算出Voc的損耗量,還能得出損耗率等關(guān)鍵指標(biāo)。Voc損耗分析儀使用注意事項(xiàng):1.環(huán)境條件控制-避免特殊的環(huán)境:盡量避免將儀器暴露在特殊的的溫度、濕度和粉塵環(huán)境中,除非設(shè)備配有相應(yīng)的防護(hù)裝置。在高溫、高濕、...

      • 2025-09-18

        一、太陽光模擬器光學(xué)元件清潔:分場(chǎng)景精準(zhǔn)維護(hù)日常除塵:吹氣法防顆粒劃傷操作:使用壓縮空氣或氮?dú)獯党m,保持吹氣設(shè)備與鏡面距離≥5cm,角度略入射方向,避免水汽或油漬污染(禁用嘴吹)。適用場(chǎng)景:反射鏡、透鏡、濾光片等表面灰塵清理。周期:每周1次,測(cè)試后立即加蓋防塵。輕度污染:拖拭法去指紋/口水操作:先用吹氣法去除顆粒物;將擦鏡紙裁剪略大于元件,滴1-2滴甲醇或異丙醇;朝單一方向輕拖表面(中心向外),一張擦鏡紙僅用1次。適用場(chǎng)景:新污染的指紋、口水點(diǎn)等。周期:污染后立即處理,避...

      • 2025-09-17

        為何需要「太空」太陽能標(biāo)準(zhǔn)?AM0的獨(dú)特意義在地球上,太陽光譜會(huì)受到大氣層的顯著影響,包括吸收和散射,尤其是在紫外線和藍(lán)光波段。大氣層中的水蒸氣、臭氧、氣溶膠等成分會(huì)吸收特定波長(zhǎng)的能量,導(dǎo)致光譜形狀和總能量發(fā)生變化。「AM0」(AirMassZero)標(biāo)準(zhǔn)應(yīng)運(yùn)而生,它代表了在地球大氣層之外、距離太陽1個(gè)天文單位(AU)處的太陽光譜。這與地球表面常見的「AM1.5」標(biāo)準(zhǔn)(考慮了穿過1.5個(gè)標(biāo)準(zhǔn)大氣層厚度的太陽光)形成鮮明對(duì)比,AM1.5主要用于陸地光伏應(yīng)用。AM0標(biāo)準(zhǔn)的總輻照度...

      • 2025-09-16

        在電子制造業(yè)中,Voc損耗分析儀已成為不可少的工具。它不僅適用于太陽能電池的研發(fā)、生產(chǎn)環(huán)節(jié)的質(zhì)量檢測(cè),還可用于電子設(shè)備運(yùn)行過程中的電壓降損耗監(jiān)測(cè),確保設(shè)備的正常運(yùn)行,保障產(chǎn)品質(zhì)量。通常配備友好的用戶界面和智能化的操作流程,即使是非專業(yè)人員也能在短時(shí)間內(nèi)掌握基本的使用方法,降低了使用門檻,使得該儀器在更廣泛的領(lǐng)域得到應(yīng)用。Voc損耗分析儀優(yōu)點(diǎn):1.高精度與穩(wěn)定性:使用高精度傳感器確保了測(cè)量結(jié)果的準(zhǔn)確性,使誤差控制在極小范圍內(nèi)。同時(shí),其在不同光照條件下仍能保持穩(wěn)定工作的特性,保證...

      • 2025-09-08

        研究背景與挑戰(zhàn)反式鈣鈦礦太陽能電池因其穩(wěn)定性與低遲滯現(xiàn)象,被視為商業(yè)潛力的新興技術(shù)。目前采用單步驟沉積法制備的器件已實(shí)現(xiàn)超過26%的認(rèn)證效率,但此方法常導(dǎo)致晶粒尺寸較小,限制了性能進(jìn)一步提升。兩步驟序列沉積法理論上能獲得晶粒尺寸更大、質(zhì)量更高的鈣鈦礦薄膜,然而在反式器件中的應(yīng)用卻面臨顯著挑戰(zhàn),其認(rèn)證效率約24%,遠(yuǎn)低于單步驟法。核心技術(shù)瓶頸效率滯后的根本原因在于序列沉積法需要150°C高溫退火才能實(shí)現(xiàn)δ-相到α-相的相變,但高溫對(duì)反式器件造成兩個(gè)致命問題:埋藏界面劣化:自組裝...

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